AOK8N80 Todos los transistores

 

AOK8N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOK8N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.63 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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AOK8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  aosemi
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AOK8N80

AOK8N80800V,7.4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS900@150The AOK8N80 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 7.4Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:377K  inchange semiconductor
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AOK8N80

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK8N80FEATURESDrain Current I = 7.4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.63(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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History: PZD502CYB | IRF4104PBF | 2SK1905 | IXFH28N60P3 | H4946S | IRFU430APBF | IXFH16N120P

 

 
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