AOK8N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOK8N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 101 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.63 Ohm
Encapsulados: TO-247
Búsqueda de reemplazo de AOK8N80 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AOK8N80 datasheet
aok8n80.pdf
AOK8N80 800V,7.4A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 900@150 The AOK8N80 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 7.4A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)
aok8n80.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOK8N80 FEATURES Drain Current I = 7.4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.63 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Otros transistores... AOK22N50 , AOK27S60 , AOK29S50 , AOK40N30 , AOK42S60 , AOK53S60 , AOK5N100 , AOK60N30 , STP75NF75 , AOK9N90 , AOL1202 , AOL1208 , AOL1240 , AOL1242 , AOL1401 , AOL1404 , AOL1413 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647