Справочник MOSFET. AOK8N80

 

AOK8N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOK8N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK8N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  aosemi
 aok8n80.pdf pdf_icon

AOK8N80

AOK8N80800V,7.4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS900@150The AOK8N80 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 7.4Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:377K  inchange semiconductor
 aok8n80.pdf pdf_icon

AOK8N80

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK8N80FEATURESDrain Current I = 7.4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.63(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFS635 | P8315BD | STFI4N62K3 | AOD1N60 | BSC079N03SG | FQP30N06L | AP40P03GJ

 

 
Back to Top

 


 
.