AOK8N80 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOK8N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для AOK8N80
AOK8N80 Datasheet (PDF)
aok8n80.pdf

AOK8N80800V,7.4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS900@150The AOK8N80 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 7.4Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)
aok8n80.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK8N80FEATURESDrain Current I = 7.4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.63(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... AOK22N50 , AOK27S60 , AOK29S50 , AOK40N30 , AOK42S60 , AOK53S60 , AOK5N100 , AOK60N30 , SKD502T , AOK9N90 , AOL1202 , AOL1208 , AOL1240 , AOL1242 , AOL1401 , AOL1404 , AOL1413 .
History: AOB125A60L | WMM07N105C2 | SDF2N100JAB | AON6414
History: AOB125A60L | WMM07N105C2 | SDF2N100JAB | AON6414



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647