AOL1712 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOL1712
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 73 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: ULTRA-SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOL1712

AOL1712 Datasheet (PDF)

..1. Size:253K aosemi
aol1712.pdf

AOL1712N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1712 uses advanced trenchID =65A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

9.1. Size:266K aosemi
aol1704.pdf

AOL1704N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET AOL1704 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integrated SchottkyID =50A (VGS = 10V)diode to provide excellent RDS(ON),and low gatecharge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

9.2. Size:244K aosemi
aol1700.pdf

AOL1700N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1700 uses advanced trenchID =85A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: