Справочник MOSFET. AOL1712

 

AOL1712 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOL1712
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: ULTRA-SO8
 

 Аналог (замена) для AOL1712

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOL1712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  aosemi
 aol1712.pdf pdf_icon

AOL1712

AOL1712N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1712 uses advanced trenchID =65A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

 9.1. Size:266K  aosemi
 aol1704.pdf pdf_icon

AOL1712

AOL1704N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET AOL1704 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integrated SchottkyID =50A (VGS = 10V)diode to provide excellent RDS(ON),and low gatecharge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 9.2. Size:244K  aosemi
 aol1700.pdf pdf_icon

AOL1712

AOL1700N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1700 uses advanced trenchID =85A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

Другие MOSFET... AOL1428A , AOL1432 , AOL1432A , AOL1448 , AOL1454 , AOL1458 , AOL1482 , AOL1700 , AO4407 , AON1605 , AON1606 , AON1610 , AON1611 , AON1620 , AON1634 , AON2240 , AON2260 .

 

 
Back to Top

 


 
.