AOL1712 - описание и поиск аналогов

 

AOL1712. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOL1712

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: ULTRA-SO8

Аналог (замена) для AOL1712

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOL1712 даташит

 ..1. Size:253K  aosemi
 aol1712.pdf pdf_icon

AOL1712

AOL1712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM VDS (V) = 30V SRFET AOL1712 uses advanced trench ID =65A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

 9.1. Size:266K  aosemi
 aol1704.pdf pdf_icon

AOL1712

AOL1704 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM SRFET AOL1704 uses advanced trench VDS (V) = 30V technology with a monolithically integrated Schottky ID =50A (VGS = 10V) diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 9.2. Size:244K  aosemi
 aol1700.pdf pdf_icon

AOL1712

AOL1700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM VDS (V) = 30V SRFET AOL1700 uses advanced trench ID =85A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

Другие MOSFET... AOL1428A , AOL1432 , AOL1432A , AOL1448 , AOL1454 , AOL1458 , AOL1482 , AOL1700 , IRF530 , AON1605 , AON1606 , AON1610 , AON1611 , AON1620 , AON1634 , AON2240 , AON2260 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.