AON2701 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON2701
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON2701

AON2701 Datasheet (PDF)

..1. Size:222K aosemi
aon2701.pdf

AON2701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON2701/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A ID = -3A (VGS = -4.5V)Schottky diode is provided to facilitate the RDS(ON)

8.1. Size:393K aosemi
aon2705.pdf

AON270530V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2705 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -3.0Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

8.2. Size:301K aosemi
aon2707.pdf

AON270730V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2707 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -4Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: