AON2701 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AON2701
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2
AON2701 Datasheet (PDF)
aon2701.pdf
AON2701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON2701/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A ID = -3A (VGS = -4.5V)Schottky diode is provided to facilitate the RDS(ON)
aon2705.pdf
AON270530V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2705 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -3.0Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)
aon2707.pdf
AON270730V P-Channel MOSFETwith Schottky DiodeGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2707 uses advanced trench technology to -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. A Schottky ID (at VGS=-10V) -4Adiode is provided to facilitate the implementation of a RDS(ON) (at VGS=-10V)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918