AON3611 Todos los transistores

 

AON3611 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON3611

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1(2.5) W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5(6) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.5(5.5) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35(100) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05(0.038) Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AON3611 datasheet

 ..1. Size:446K  aosemi
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AON3611

AON3611 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-channel P-channel The AON3611 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS (V) = -30V complementary MOSFETs may be used in inverter and ID = 5A ID = -6A (VGS = 10V) other applications. RDS(ON)

 8.1. Size:417K  aosemi
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AON3611

AON3613 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary N-channel P-channel The AON3613 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The VDS (V) = 30V VDS (V) = -30V complementary MOSFETs may be used in inverter and ID = 4.5A ID = -4.5A (VGS = 10V) other applications. RDS(ON)

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