AON3611 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AON3611
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1(2.5) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5(6) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 1.5(5.5) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35(100) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(0.038) Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
AON3611 Datasheet (PDF)
aon3611.pdf
AON361130V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON3611 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 5A ID = -6A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)
aon3613.pdf
AON361330V Complementary MOSFETGeneral Description Product SummaryN-channel P-channelThe AON3613 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheVDS (V) = 30V VDS (V) = -30Vcomplementary MOSFETs may be used in inverter andID = 4.5A ID = -4.5A (VGS = 10V)other applications.RDS(ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918