AON3814 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON3814  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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AON3814 datasheet

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AON3814

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AON3814

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AON3814

AON3816 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 20V The AON3816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=4.5V) 4A with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V RDS(ON) (at VGS = 4.5V)

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AON3814

AON3818 24V Dual N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 24V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

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