AON4703 Todos los transistores

 

AON4703 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON4703
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3
 

 Búsqueda de reemplazo de AON4703 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AON4703 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  aosemi
 aon4703.pdf pdf_icon

AON4703

AON470320V P-Channel MOSFET with Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)DS(ON)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

 8.1. Size:170K  aosemi
 aon4701.pdf pdf_icon

AON4703

AON4701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

Otros transistores... AON3613 , AON3806 , AON3814 , AON3816 , AON3818 , AON4420L , AON4421 , AON4605 , MMD60R360PRH , AON4803 , AON4805L , AON4807 , AON5802B , AON5810 , AON5820 , AON6202 , AON6204 .

History: UPA1759G | HY4306B6 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | 2SK1478 | 2SK65 | CEF02N6G

 

 
Back to Top

 


 
.