AON4703 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON4703

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Tiempo de elevación (tr): 36 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN2x3

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AON4703 Datasheet (PDF)

1.1. aon4703.pdf Size:235K _aosemi

AON4703 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Features The AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) DS(ON) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) < 90mΩ (VGS = -4.5V) blocking switch, or for buck converter applications. RDS(ON)

4.1. aon4701.pdf Size:170K _aosemi

AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON) < 90mΩ (VGS = -4.5V) blocking switch, or for DC-DC c

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Liste

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