Справочник MOSFET. AON4703

 

AON4703 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON4703
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
 

 Аналог (замена) для AON4703

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4703 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  aosemi
 aon4703.pdf pdf_icon

AON4703

AON470320V P-Channel MOSFET with Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)DS(ON)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

 8.1. Size:170K  aosemi
 aon4701.pdf pdf_icon

AON4703

AON4701P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistorwith Schottky DiodeGeneral Description FeaturesThe AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20Vexcellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V)provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

Другие MOSFET... AON3613 , AON3806 , AON3814 , AON3816 , AON3818 , AON4420L , AON4421 , AON4605 , MMD60R360PRH , AON4803 , AON4805L , AON4807 , AON5802B , AON5810 , AON5820 , AON6202 , AON6204 .

History: BSC0996NS | SVSP14N60FD2 | NTLJS4114NT1G | TSF65R300S1 | UFZ24NL-TM3 | ZXM62P02E6 | DMNH6021SK3

 

 
Back to Top

 


 
.