AON4703. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON4703

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для AON4703

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4703 даташит

 ..1. Size:235K  aosemi
 aon4703.pdf pdf_icon

AON4703

AON4703 20V P-Channel MOSFET with Schottky Diode General Description Features The AON4703 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) DS(ON) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

 8.1. Size:170K  aosemi
 aon4701.pdf pdf_icon

AON4703

AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode General Description Features The AON4701 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = -20V excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is ID = -3.4A (VGS = -4.5V) provided to facilitate the implementation of a bidirectional RDS(ON)

Другие IGBT... AON3613, AON3806, AON3814, AON3816, AON3818, AON4420L, AON4421, AON4605, RU7088R, AON4803, AON4805L, AON4807, AON5802B, AON5810, AON5820, AON6202, AON6204