AON4807 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON4807
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON4807

AON4807 Datasheet (PDF)

..1. Size:302K aosemi
aon4807.pdf

AON480730V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AON4807 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -4Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

8.1. Size:308K aosemi
aon4803.pdf

AON480320V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-20VThe AON4803 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-4.5V) -3.4Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

8.2. Size:159K aosemi
aon4805l.pdf

AON4805LDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AON4805L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -4.5A (VGS = -4.5V)operation with gate voltage as low as 1.8V. This RDS(ON)

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Liste

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