Справочник MOSFET. AON4807

 

AON4807 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON4807
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4807 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  aosemi
 aon4807.pdf pdf_icon

AON4807

AON480730V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AON4807 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -4Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:308K  aosemi
 aon4803.pdf pdf_icon

AON4807

AON480320V Dual P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-20VThe AON4803 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-4.5V) -3.4Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.2. Size:159K  aosemi
 aon4805l.pdf pdf_icon

AON4807

AON4805LDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AON4805L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -4.5A (VGS = -4.5V)operation with gate voltage as low as 1.8V. This RDS(ON)

Другие MOSFET... AON3816 , AON3818 , AON4420L , AON4421 , AON4605 , AON4703 , AON4803 , AON4805L , AO3407 , AON5802B , AON5810 , AON5820 , AON6202 , AON6204 , AON6210 , AON6230 , AON6232 .

 

 
Back to Top

 


 
.