AON4807. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON4807

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3

Аналог (замена) для AON4807

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON4807 даташит

 ..1. Size:302K  aosemi
 aon4807.pdf pdf_icon

AON4807

AON4807 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AON4807 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-10V) -4A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.1. Size:308K  aosemi
 aon4803.pdf pdf_icon

AON4807

AON4803 20V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -20V The AON4803 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=-4.5V) -3.4A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 8.2. Size:159K  aosemi
 aon4805l.pdf pdf_icon

AON4807

AON4805L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AON4805L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -4.5A (VGS = -4.5V) operation with gate voltage as low as 1.8V. This RDS(ON)

Другие IGBT... AON3816, AON3818, AON4420L, AON4421, AON4605, AON4703, AON4803, AON4805L, AO4407A, AON5802B, AON5810, AON5820, AON6202, AON6204, AON6210, AON6230, AON6232