AON6298 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AON6298 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6298

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de AON6298 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AON6298 datasheet

..1. Size:265K 1
aon6298.pdf pdf_icon

AON6298 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AON6298 uses trench MOSFET technology that is 100V uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 46A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:265K aosemi
aon6298.pdf pdf_icon

8.1. Size:260K aosemi
aon6294.pdf pdf_icon

AON6294 100V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 100V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 52A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:263K aosemi
aon6292.pdf pdf_icon

AON6292 100V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 100V The AON6292 uses trench MOSFET technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high ID (at VGS=10V) 85A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AON6270, AON6278, AON6280, AON6282, AON6284, AON6290, AON6292, AON6294, 2N7000, AON6400, AON6403, AON6404, AON6404A, AON6405, AON6407, AON6411, AON6413

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

AON6298 Todos los transistores