AON6522 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AON6522
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 49.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2778 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6522
AON6522 Datasheet (PDF)
aon6522.pdf
AON652225V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6520.pdf
AON652030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AON6520 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 50Asuitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6526.pdf
AON652630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6524.pdf
AON652430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aon6528.pdf
AON652830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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Liste
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