AON6522 Todos los transistores

 

AON6522 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6522
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2778 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AON6522 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  aosemi
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AON6522

AON652225V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:248K  aosemi
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AON6522

AON652030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AON6520 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 50Asuitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:305K  aosemi
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AON6522

AON652630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:456K  aosemi
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AON6522

AON652430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: WM06N03GE | IRF7316QPBF | CS3R50FA9 | VBQA1405 | FDPF16N50 | HRP72N06K | WMO60P02TS

 

 
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