AON6522 Todos los transistores

 

AON6522 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AON6522
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2778 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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AON6522 PDF Specs

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AON6522

AON6522 25V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒

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AON6520 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AON6520 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 50A suitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒

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AON6526 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒

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AON6522

AON6524 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒

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