Справочник MOSFET. AON6522

 

AON6522 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6522
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2778 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6522 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  aosemi
aon6522.pdfpdf_icon

AON6522

AON652225V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:248K  aosemi
aon6520.pdfpdf_icon

AON6522

AON652030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AON6520 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 50Asuitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:305K  aosemi
aon6526.pdfpdf_icon

AON6522

AON652630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:456K  aosemi
aon6524.pdfpdf_icon

AON6522

AON652430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6504 , AON6506 , AON6508 , AON6510 , AON6512 , AON6516 , AON6518 , AON6520 , 2N7000 , AON6524 , AON6526 , AON6530 , AON6532 , AON6536 , AON6538 , AON6544 , AON6552 .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.