AON6530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON6530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6530

AON6530 Datasheet (PDF)

..1. Size:288K aosemi
aon6530.pdf

AON653030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 72A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:299K aosemi
aon6534.pdf

AON653430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:312K aosemi
aon6532.pdf

AON653230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.3. Size:288K aosemi
aon6538.pdf

AON653830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.4. Size:327K aosemi
aon6536.pdf

AON653630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AON6536 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low resistance package to provideVDS30Vextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch ID (at VGS=10V) 55Aand battery protection applications. RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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