AON6530 - описание и поиск аналогов

 

AON6530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6530

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6530 даташит

 ..1. Size:288K  aosemi
 aon6530.pdf pdf_icon

AON6530

AON6530 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 72A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:299K  aosemi
 aon6534.pdf pdf_icon

AON6530

AON6534 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:312K  aosemi
 aon6532.pdf pdf_icon

AON6530

AON6532 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:288K  aosemi
 aon6538.pdf pdf_icon

AON6530

AON6538 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6510 , AON6512 , AON6516 , AON6518 , AON6520 , AON6522 , AON6524 , AON6526 , IRF1407 , AON6532 , AON6536 , AON6538 , AON6544 , AON6552 , AON6554 , AON6558 , AON6566 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.