Справочник MOSFET. AON6530

 

AON6530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:288K  aosemi
aon6530.pdfpdf_icon

AON6530

AON653030V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 72A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:299K  aosemi
aon6534.pdfpdf_icon

AON6530

AON653430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:312K  aosemi
aon6532.pdfpdf_icon

AON6530

AON653230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:288K  aosemi
aon6538.pdfpdf_icon

AON6530

AON653830V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 75A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AON6510 , AON6512 , AON6516 , AON6518 , AON6520 , AON6522 , AON6524 , AON6526 , P0903BDG , AON6532 , AON6536 , AON6538 , AON6544 , AON6552 , AON6554 , AON6558 , AON6566 .

History: NVMFD5C466NL | APT50M50L2LLG

 

 
Back to Top

 


 
.