AOP605 Todos los transistores

 

AOP605 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOP605
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5(6.6) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1(5.7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102(190) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.035) Ohm
   Paquete / Cubierta: PDIP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOP605 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  aosemi
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AOP605

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

 9.1. Size:179K  aosemi
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AOP605

AOP609Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOP609 uses advanced trench technology n-channel p-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60Vgate charge. The complementary MOSFETs ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)may be used in H-bridge, Inverters and other RDS(ON) RDS(ON) applications. Standard Product A

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQ4942EY | BUK7Y153-100E | WST3423 | NCE30ND09S | VN2110 | R5005CNJ | IMW120R140M1H

 

 
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