AOP605 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOP605
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5(6.6) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.74 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1(5.7) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102(190) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028(0.035) Ohm
   Paquete / Cubierta: PDIP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOP605

AOP605 Datasheet (PDF)

..1. Size:579K aosemi
aop605.pdf

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

9.1. Size:179K aosemi
aop609.pdf

AOP609Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOP609 uses advanced trench technology n-channel p-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60Vgate charge. The complementary MOSFETs ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)may be used in H-bridge, Inverters and other RDS(ON) RDS(ON) applications. Standard Product A

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: