Справочник MOSFET. AOP605

 

AOP605 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOP605
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5(6.6) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.74 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.1(5.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102(190) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.035) Ohm
   Тип корпуса: PDIP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOP605 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  aosemi
 aop605.pdf pdf_icon

AOP605

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

 9.1. Size:179K  aosemi
 aop609.pdf pdf_icon

AOP605

AOP609Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOP609 uses advanced trench technology n-channel p-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60Vgate charge. The complementary MOSFETs ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)may be used in H-bridge, Inverters and other RDS(ON) RDS(ON) applications. Standard Product A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCEAP4090AGU | IPP60R160P6 | IRF820SPBF | 10N70 | SW1N60C

 

 
Back to Top

 


 
.