Справочник MOSFET. AOP605

 

AOP605 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOP605
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5(6.6) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.74 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.1(5.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102(190) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(0.035) Ohm
   Тип корпуса: PDIP-8
 

 Аналог (замена) для AOP605

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOP605 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  aosemi
 aop605.pdf pdf_icon

AOP605

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

 9.1. Size:179K  aosemi
 aop609.pdf pdf_icon

AOP605

AOP609Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOP609 uses advanced trench technology n-channel p-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60Vgate charge. The complementary MOSFETs ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)may be used in H-bridge, Inverters and other RDS(ON) RDS(ON) applications. Standard Product A

Другие MOSFET... AON7810 , AON7812 , AON7820 , AON7826 , AON7900 , AON7902 , AON7932 , AON7934 , HY1906P , AOP609 , AOT10N60 , AOT10N65 , AOT10T60P , AOT1100L , AOT11C60 , AOT11N60 , AOT11N70 .

History: STS5N15F3 | 4N70L-TA3-T | GSM3413 | SMC3054

 

 
Back to Top

 


 
.