AOP609 Todos los transistores

 

AOP609 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOP609
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7(3.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5(7.2) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74(88) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06(0.115) Ohm
   Paquete / Cubierta: PDIP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de AOP609 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOP609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  aosemi
 aop609.pdf pdf_icon

AOP609

AOP609Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOP609 uses advanced trench technology n-channel p-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60Vgate charge. The complementary MOSFETs ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)may be used in H-bridge, Inverters and other RDS(ON) RDS(ON) applications. Standard Product A

 9.1. Size:579K  aosemi
 aop605.pdf pdf_icon

AOP609

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

Otros transistores... AON7812 , AON7820 , AON7826 , AON7900 , AON7902 , AON7932 , AON7934 , AOP605 , AO3407 , AOT10N60 , AOT10N65 , AOT10T60P , AOT1100L , AOT11C60 , AOT11N60 , AOT11N70 , AOT11S60 .

History: IXFQ34N50P3

 

 
Back to Top

 


 
.