Справочник MOSFET. AOP609

 

AOP609 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOP609
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7(3.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.5(7.2) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74(88) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06(0.115) Ohm
   Тип корпуса: PDIP-8
 

 Аналог (замена) для AOP609

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOP609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  aosemi
 aop609.pdf pdf_icon

AOP609

AOP609Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOP609 uses advanced trench technology n-channel p-channelMOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60Vgate charge. The complementary MOSFETs ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V)may be used in H-bridge, Inverters and other RDS(ON) RDS(ON) applications. Standard Product A

 9.1. Size:579K  aosemi
 aop605.pdf pdf_icon

AOP609

AOP605Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description Featuresn-channel p-channelThe AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. TheID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V)complementary MOSFETs form a high-speed powerinverter, suitable for a multitude of applications.RDS(ON)AOP605 and

Другие MOSFET... AON7812 , AON7820 , AON7826 , AON7900 , AON7902 , AON7932 , AON7934 , AOP605 , AO3407 , AOT10N60 , AOT10N65 , AOT10T60P , AOT1100L , AOT11C60 , AOT11N60 , AOT11N70 , AOT11S60 .

History: SMC2333 | IRFP1405PBF | SIA406DJ

 

 
Back to Top

 


 
.