AOP609. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOP609

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7(3.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5(7.2) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 74(88) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06(0.115) Ohm

Тип корпуса: PDIP-8

Аналог (замена) для AOP609

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOP609 даташит

 ..1. Size:179K  aosemi
 aop609.pdf pdf_icon

AOP609

AOP609 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AOP609 uses advanced trench technology n-channel p-channel MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low VDS (V) = 60V -60V gate charge. The complementary MOSFETs ID = 4.7A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V) may be used in H-bridge, Inverters and other RDS(ON) RDS(ON) applications. Standard Product A

 9.1. Size:579K  aosemi
 aop605.pdf pdf_icon

AOP609

AOP605 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features n-channel p-channel The AOP605/L uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V -30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The ID = 7.5A (VGS = 10V) -6.6A (VGS = -10V) complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. RDS(ON) AOP605 and

Другие IGBT... AON7812, AON7820, AON7826, AON7900, AON7902, AON7932, AON7934, AOP605, AO4407A, AOT10N60, AOT10N65, AOT10T60P, AOT1100L, AOT11C60, AOT11N60, AOT11N70, AOT11S60