AOT1N60 Todos los transistores

 

AOT1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOT1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOT1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  aosemi
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AOT1N60

AOT1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT1N60 have been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 1.3Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
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AOT1N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: ZXMN7A11G | NVBG060N090SC1 | 2SK4177 | TSM4N80CZ | SFP740 | IRFS640B | JFFM13N65D

 

 
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