AOT1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOT1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOT1N60

AOT1N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:131K aosemi
aot1n60.pdf

AOT1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT1N60 have been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 1.3Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:261K inchange semiconductor
aot1n60.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

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Liste

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