AOT1N60 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOT1N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOT1N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm

Encapsulados: TO-220

Búsqueda de reemplazo de AOT1N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AOT1N60 datasheet

..1. Size:131K aosemi
aot1n60.pdf pdf_icon

AOT1N60 600V,1.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT1N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 1.3A high levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:261K inchange semiconductor
aot1n60.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1N60 FEATURES Drain Current I =1.3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Otros transistores... AOT13N50, AOT1404L, AOT14N50, AOT14N50FD, AOT15S60, AOT1606L, AOT1608L, AOT16N50, 10N60, AOT20C60, AOT20N25, AOT20N60, AOT20S60, AOT210L, AOT22N50, AOT240L, AOT2500L

AOT1N60 Todos los transistores