Справочник MOSFET. AOT1N60

 

AOT1N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AOT1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 6.7 ns

Выходная емкость (Cd): 14.5 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 9 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT1N60

 

 

AOT1N60 Datasheet (PDF)

1.1. aot1n60.pdf Size:131K _aosemi

AOT1N60
AOT1N60

AOT1N60 600V,1.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150℃ The AOT1N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 1.3A high levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V) < 9Ω DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avala

Другие MOSFET... AOT13N50 , AOT1404L , AOT14N50 , AOT14N50FD , AOT15S60 , AOT1606L , AOT1608L , AOT16N50 , RFP50N06 , AOT20C60 , AOT20N25 , AOT20N60 , AOT20S60 , AOT210L , AOT22N50 , AOT240L , AOT2500L .

Back to Top

 


AOT1N60
  AOT1N60
  AOT1N60
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: SIHF22N60S | SIHF22N60E | SIHF18N50D | SIHF18N50C | SIHF16N50C | SIHF15N65E | SIHF15N60E | SIHF12N65E | SIHF12N60E | SIHF12N50C | SIHF10N40D | SIHD7N60E | SIHD6N65E | SIHD6N62E | SIHD5N50D |
 


 

 

Back to Top