Справочник MOSFET. AOT1N60

 

AOT1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOT1N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  aosemi
 aot1n60.pdf pdf_icon

AOT1N60

AOT1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT1N60 have been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 1.3Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot1n60.pdf pdf_icon

AOT1N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SFF220-28 | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.