AOT1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT1N60 даташит

 ..1. Size:131K  aosemi
 aot1n60.pdf pdf_icon

AOT1N60

AOT1N60 600V,1.3A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 700V@150 The AOT1N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 1.3A high levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 aot1n60.pdf pdf_icon

AOT1N60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1N60 FEATURES Drain Current I =1.3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие IGBT... AOT13N50, AOT1404L, AOT14N50, AOT14N50FD, AOT15S60, AOT1606L, AOT1608L, AOT16N50, 10N60, AOT20C60, AOT20N25, AOT20N60, AOT20S60, AOT210L, AOT22N50, AOT240L, AOT2500L