AOT1N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AOT1N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.1 nC
Время нарастания (tr): 6.7 ns
Выходная емкость (Cd): 14.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 9 Ohm
Тип корпуса: TO-220
AOT1N60 Datasheet (PDF)
aot1n60.pdf
AOT1N60600V,1.3A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS700V@150The AOT1N60 have been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 1.3Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)
aot1n60.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOT1N60FEATURESDrain Current I =1.3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
