AOT22N50 Todos los transistores

 

AOT22N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOT22N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 122 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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AOT22N50 Datasheet (PDF)

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AOT22N50

AOT22N50/AOTF22N50500V,22A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT22N50 & AOTF22N50 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 22Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:205K  inchange semiconductor
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AOT22N50

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor AOT22N50FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPopular AC-DC applicationsPower supplySwitching applicationsABS

 0.1. Size:534K  aosemi
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AOT22N50

AOT22N50/AOTF22N50500V,22A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOT22N50 & AOTF22N50 have been fabricatedusing an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 22Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOT1608L , AOT16N50 , AOT1N60 , AOT20C60 , AOT20N25 , AOT20N60 , AOT20S60 , AOT210L , STP75NF75 , AOT240L , AOT2500L , AOT254L , AOT25S65 , AOT2606L , AOT2608L , AOT260L , AOT2610L .

History: AOK29S50 | CS18N50F | SSP60R099S2E | RZF020P01 | IXTP32N65XM | SUD19P06-60 | SDF230JAA

 

 
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