AOT22N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT22N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 122 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT22N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT22N50 даташит

 ..1. Size:534K  aosemi
 aot22n50.pdf pdf_icon

AOT22N50

AOT22N50/AOTF22N50 500V,22A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT22N50 & AOTF22N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 22A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:398K  aosemi
 aot22n50 aotf22n50.pdf pdf_icon

AOT22N50

AOT22N50/AOTF22N50 500V,22A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT22N50 & AOTF22N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 22A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
 aot22n50.pdf pdf_icon

AOT22N50

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor AOT22N50 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS PFC stages Popular AC-DC applications Power supply Switching applications ABS

 0.1. Size:534K  aosemi
 aot22n50l.pdf pdf_icon

AOT22N50

AOT22N50/AOTF22N50 500V,22A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOT22N50 & AOTF22N50 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is ID (at VGS=10V) 22A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT1608L, AOT16N50, AOT1N60, AOT20C60, AOT20N25, AOT20N60, AOT20S60, AOT210L, 7N65, AOT240L, AOT2500L, AOT254L, AOT25S65, AOT2606L, AOT2608L, AOT260L, AOT2610L