AOT2500L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOT2500L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOT2500L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 152 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 586 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-220

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AOT2500L datasheet

..1. Size:297K aosemi
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AOT2500L/AOB2500L 150V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2500L/AOB2500L uses Trench MOSFET 150V ID (at VGS=10V) 152A technology that is uniquely optimized to provide the most RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:297K aosemi
aot2500l aob2500l.pdf pdf_icon

..3. Size:259K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2500L FEATURES Drain Current I = 152A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 150V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

8.1. Size:636K aosemi
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AOT2502L/AOB2502L 150V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 150V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 106A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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