AOT2610L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOT2610L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm

Encapsulados: TO-220

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AOT2610L datasheet

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AOT2610L

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AOT2610L

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AOT2610L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2610L FEATURES Drain Current I = 55A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 10.7m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

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AOT2610L

AOT2618L/AOB2618L/AOTF2618L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2618L & AOB2618L & AOTF2618L uses trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 23A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

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