AOT2610L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT2610L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для AOT2610L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT2610L даташит

 ..1. Size:348K  aosemi
 aot2610l.pdf pdf_icon

AOT2610L

 ..2. Size:348K  aosemi
 aot2610l aotf2610l.pdf pdf_icon

AOT2610L

 ..3. Size:261K  inchange semiconductor
 aot2610l.pdf pdf_icon

AOT2610L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOT2610L FEATURES Drain Current I = 55A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 10.7m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 8.1. Size:367K  aosemi
 aot2618l.pdf pdf_icon

AOT2610L

AOT2618L/AOB2618L/AOTF2618L 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS The AOT2618L & AOB2618L & AOTF2618L uses trench 60V MOSFET technology that is uniquely optimized to provide ID (at VGS=10V) 23A the most efficient high frequency switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT22N50, AOT240L, AOT2500L, AOT254L, AOT25S65, AOT2606L, AOT2608L, AOT260L, IRF9540N, AOT2618L, AOT262L, AOT264L, AOT266L, AOT270AL, AOT27S60, AOT280L, AOT282L