AOTF12T60 Todos los transistores

 

AOTF12T60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTF12T60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOTF12T60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  aosemi
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AOTF12T60

AOTF12T60600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Latest Trench Power AlphaMOS-II technology Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 0.1. Size:498K  aosemi
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AOTF12T60

AOB12T60P/AOTF12T60P600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.1. Size:447K  aosemi
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AOTF12T60

AOTF12T50P500V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.2. Size:447K  aosemi
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AOTF12T60

AOTF12T50P500V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

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History: 2N70K | PHP119NQ06T | UPA1950 | RU2H50R | SQD50P04-13L | SIHFP9240

 

 
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