Справочник MOSFET. AOTF12T60

 

AOTF12T60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOTF12T60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для AOTF12T60

 

 

AOTF12T60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  aosemi
 aotf12t60.pdf

AOTF12T60 AOTF12T60

AOTF12T60600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Latest Trench Power AlphaMOS-II technology Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 0.1. Size:498K  aosemi
 aotf12t60p.pdf

AOTF12T60 AOTF12T60

AOB12T60P/AOTF12T60P600V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.1. Size:447K  aosemi
 aotf12t50p.pdf

AOTF12T60 AOTF12T60

AOTF12T50P500V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.2. Size:447K  aosemi
 aotf12t50pl.pdf

AOTF12T60 AOTF12T60

AOTF12T50P500V,12A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.3. Size:251K  inchange semiconductor
 aotf12t50pl.pdf

AOTF12T60 AOTF12T60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOTF12T50PLFEATURESDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONGeneral Lighting for LED and CCFLAC/DC Power suppliesABSOL

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top