AOTF12T60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF12T60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для AOTF12T60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF12T60 даташит

 ..1. Size:233K  aosemi
 aotf12t60.pdf pdf_icon

AOTF12T60

AOTF12T60 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Latest Trench Power AlphaMOS-II technology Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 0.1. Size:498K  aosemi
 aotf12t60p.pdf pdf_icon

AOTF12T60

AOB12T60P/AOTF12T60P 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 0.2. Size:495K  aosemi
 aob12t60p aotf12t60p.pdf pdf_icon

AOTF12T60

AOB12T60P/AOTF12T60P 600V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 700V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 7.1. Size:447K  aosemi
 aotf12t50p.pdf pdf_icon

AOTF12T60

AOTF12T50P 500V,12A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Latest Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 600V Low RDS(ON) IDM 48A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF11S65, AOTF12N30, AOTF12N50, AOTF12N60, AOTF12N60FD, AOTF12N65, AOTF12T50P, AOTF12T50PL, IRFB4110, AOTF12T60P, AOTF13N50, AOTF14N50, AOTF14N50FD, AOTF15S60, AOTF15S65, AOTF16N50, AOTF18N65