HP4936DY Todos los transistores

 

HP4936DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HP4936DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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HP4936DY Datasheet (PDF)

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HP4936DY

HP4936DYData Sheet December 20015.8A, 30V, 0.037 Ohm, Dual N-Channel, FeaturesLogic Level Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis power MOSFET is manufactured using an innovative 5.8A, 30Vprocess. This advanced process technology achieves the rDS(ON) = 0.037 at ID = 5.8A, VGS = 10Vlowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performa

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