HP4936DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP4936DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
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HP4936DY Datasheet (PDF)
hp4936dy.pdf

HP4936DYData Sheet December 20015.8A, 30V, 0.037 Ohm, Dual N-Channel, FeaturesLogic Level Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis power MOSFET is manufactured using an innovative 5.8A, 30Vprocess. This advanced process technology achieves the rDS(ON) = 0.037 at ID = 5.8A, VGS = 10Vlowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performa
Otros transistores... HAT2064R , HAT2065R , HAT2068R , HAT2070R , HAT2077R , HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , IRFB4115 , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 .
History: RJK5013DPE | RQK0303MGDQA | HGK026N15S | IRF614A | 2SK949
History: RJK5013DPE | RQK0303MGDQA | HGK026N15S | IRF614A | 2SK949



Liste
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