HP4936DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HP4936DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.037 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
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HP4936DY Datasheet (PDF)
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HP4936DYData Sheet December 20015.8A, 30V, 0.037 Ohm, Dual N-Channel, FeaturesLogic Level Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis power MOSFET is manufactured using an innovative 5.8A, 30Vprocess. This advanced process technology achieves the rDS(ON) = 0.037 at ID = 5.8A, VGS = 10Vlowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performa
Otros transistores... HAT2064R , HAT2065R , HAT2068R , HAT2070R , HAT2077R , HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , 2SK3878 , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 .
