HP4936DY Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HP4936DY  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm

Encapsulados: SO8

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HP4936DY datasheet

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HP4936DY

HP4936DY Data Sheet December 2001 5.8A, 30V, 0.037 Ohm, Dual N-Channel, Features Logic Level Power MOSFET Logic Level Gate Drive This power MOSFET is manufactured using an innovative 5.8A, 30V process. This advanced process technology achieves the rDS(ON) = 0.037 at ID = 5.8A, VGS = 10V lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performa

Otros transistores... HAT2064R, HAT2065R, HAT2068R, HAT2070R, HAT2077R, HEPF2004, HEPF2007A, HP4410DY, AO3400, HPLR3103, HPLU3103, HR3N187, HR3N200, HRF3205, HRF3205S, HRFZ44N, HUF75229P3