HP4936DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HP4936DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 18 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.037 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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HP4936DY Datasheet (PDF)

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HP4936DY Data Sheet December 2001 5.8A, 30V, 0.037 Ohm, Dual N-Channel, Features Logic Level Power MOSFET • Logic Level Gate Drive This power MOSFET is manufactured using an innovative • 5.8A, 30V process. This advanced process technology achieves the • rDS(ON) = 0.037Ω at ID = 5.8A, VGS = 10V lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performa

Otros transistores... HAT2064R , HAT2065R , HAT2068R , HAT2070R , HAT2077R , HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , IRF510 , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 .

Liste

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