HP4936DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HP4936DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: SO8
HP4936DY Datasheet (PDF)
hp4936dy.pdf
HP4936DYData Sheet December 20015.8A, 30V, 0.037 Ohm, Dual N-Channel, FeaturesLogic Level Power MOSFET Logic Level Gate DriveThis power MOSFET is manufactured using an innovative 5.8A, 30Vprocess. This advanced process technology achieves the rDS(ON) = 0.037 at ID = 5.8A, VGS = 10Vlowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performa
Другие MOSFET... HAT2064R , HAT2065R , HAT2068R , HAT2070R , HAT2077R , HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , 2SK3878 , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918