HPLR3103 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HPLR3103  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO252AA

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HPLR3103 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HPLR3103 datasheet

 ..1. Size:71K  intersil
 hplr3103 hplu3103.pdf pdf_icon

HPLR3103

HPLR3103, HPLU3103 Data Sheet July 1999 File Number 4501.2 52A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic Features Level, Power MOSFETs Logic Level Gate Drive These are N-Channel enhancement mode silicon gate 52A , 30V power field effect transistors. They are advanced power Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.019 MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified leve

Otros transistores... HAT2065R, HAT2068R, HAT2070R, HAT2077R, HEPF2004, HEPF2007A, HP4410DY, HP4936DY, IRF9540, HPLU3103, HR3N187, HR3N200, HRF3205, HRF3205S, HRFZ44N, HUF75229P3, HUF75307D3