HPLR3103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HPLR3103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA

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HPLR3103 Datasheet (PDF)

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hplr3103 hplu3103.pdf

HPLR3103, HPLU3103Data Sheet July 1999 File Number 4501.252A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic FeaturesLevel, Power MOSFETs Logic Level Gate DriveThese are N-Channel enhancement mode silicon gate 52A, 30Vpower field effect transistors. They are advanced power Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.019MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand aspecified leve

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Liste

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