HPLR3103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HPLR3103

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 89 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 52 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 50 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.019 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252AA

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HPLR3103 Datasheet (PDF)

1.1. hplr3103 hplu3103.pdf Size:71K _intersil

HPLR3103, HPLU3103 Data Sheet July 1999 File Number 4501.2 52A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic Features Level, Power MOSFETs • Logic Level Gate Drive These are N-Channel enhancement mode silicon gate • 52A†, 30V power field effect transistors. They are advanced power • Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.019Ω MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified leve

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