HPLR3103 Todos los transistores

 

HPLR3103 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HPLR3103
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA
 

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HPLR3103 PDF Specs

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HPLR3103

HPLR3103, HPLU3103 Data Sheet July 1999 File Number 4501.2 52A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic Features Level, Power MOSFETs Logic Level Gate Drive These are N-Channel enhancement mode silicon gate 52A , 30V power field effect transistors. They are advanced power Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.019 MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified leve... See More ⇒

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