HPLR3103 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HPLR3103
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 89 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 52 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.019 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252AA
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HPLR3103 Datasheet (PDF)
1.1. hplr3103 hplu3103.pdf 
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HPLR3103, HPLU3103 Data Sheet July 1999 File Number 4501.2 52A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic Features Level, Power MOSFETs • Logic Level Gate Drive These are N-Channel enhancement mode silicon gate • 52A†, 30V power field effect transistors. They are advanced power • Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.019Ω MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified leve
Otros transistores... HAT2065R , HAT2068R , HAT2070R , HAT2077R , HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , HP4936DY , IRF830 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 , HUF75307D3 .
