Справочник MOSFET. HPLR3103

 

HPLR3103 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPLR3103
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA
 

 Аналог (замена) для HPLR3103

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPLR3103 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  intersil
 hplr3103 hplu3103.pdf pdf_icon

HPLR3103

HPLR3103, HPLU3103Data Sheet July 1999 File Number 4501.252A, 30V, 0.019 Ohm, N-Channel Logic FeaturesLevel, Power MOSFETs Logic Level Gate DriveThese are N-Channel enhancement mode silicon gate 52A, 30Vpower field effect transistors. They are advanced power Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.019MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand aspecified leve

Другие MOSFET... HAT2065R , HAT2068R , HAT2070R , HAT2077R , HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , HP4936DY , 2SK3878 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 , HUF75307D3 .

History: VMM1500-0075X2

 

 
Back to Top

 


 
.