HRF3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HRF3205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 175 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 170 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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HRF3205 Datasheet (PDF)
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HRF3205, HRF3205SData Sheet December 2001100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power FeaturesMOSFETs 100A, 55V (See Note)These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le
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isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA
Otros transistores... HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , HP4936DY , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , 8205A , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 , HUF75307D3 , HUF75307D3S , HUF75307D3ST , HUF75307P3 , HUF75307T3ST .



Liste
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