HRF3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRF3205

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 175 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 170 nC

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HRF3205

HRF3205 Datasheet (PDF)

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HRF3205, HRF3205SData Sheet December 2001100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power FeaturesMOSFETs 100A, 55V (See Note)These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

..2. Size:259K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Otros transistores... HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , HP4936DY , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , 8205A , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 , HUF75307D3 , HUF75307D3S , HUF75307D3ST , HUF75307P3 , HUF75307T3ST .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: