Справочник MOSFET. HRF3205

 

HRF3205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HRF3205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HRF3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  fairchild semi
 hrf3205.pdf pdf_icon

HRF3205

HRF3205, HRF3205SData Sheet December 2001100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power FeaturesMOSFETs 100A, 55V (See Note)These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
 hrf3205.pdf pdf_icon

HRF3205

isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

Другие MOSFET... HEPF2004 , HEPF2007A , HP4410DY , HP4936DY , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , K3569 , HRF3205S , HRFZ44N , HUF75229P3 , HUF75307D3 , HUF75307D3S , HUF75307D3ST , HUF75307P3 , HUF75307T3ST .

History: VMO1200-01F | NTJD4105C | MTN4N60AE3 | 2N4338 | SI1402DH | CJA9451 | GSM3436

 

 
Back to Top

 


 
.