HRF3205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HRF3205  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HRF3205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRF3205 даташит

 ..1. Size:189K  fairchild semi
 hrf3205.pdf pdf_icon

HRF3205

HRF3205, HRF3205S Data Sheet December 2001 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power Features MOSFETs 100A, 55V (See Note) These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008 power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE Model MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
 hrf3205.pdf pdf_icon

HRF3205

isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

Другие IGBT... HEPF2004, HEPF2007A, HP4410DY, HP4936DY, HPLR3103, HPLU3103, HR3N187, HR3N200, IRF9540, HRF3205S, HRFZ44N, HUF75229P3, HUF75307D3, HUF75307D3S, HUF75307D3ST, HUF75307P3, HUF75307T3ST