AOV11S60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOV11S60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37.3 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Encapsulados: DFN8X8
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AOV11S60 datasheet
aov11s60.pdf
AOV11S60 TM 600V 8A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOV11S60 has been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 45A high levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.5 applications. Qg,typ 11nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss
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