AOV11S60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOV11S60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8X8

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AOV11S60 Datasheet (PDF)

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aov11s60.pdf

AOV11S60TM600V 8A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOV11S60 has been fabricated using the advancedMOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 45Ahigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.5applications. Qg,typ 11nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss

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