Справочник MOSFET. AOV11S60

 

AOV11S60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOV11S60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOV11S60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  aosemi
 aov11s60.pdf pdf_icon

AOV11S60

AOV11S60TM600V 8A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOV11S60 has been fabricated using the advancedMOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 45Ahigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.5applications. Qg,typ 11nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOTF7T60 | 24NM60G-TA3-T | 1N65G-K08-5060-R | 1N80 | AOTF42S60L | AOTF8T50P | AOTF472

 

 
Back to Top

 


 
.