AOV11S60 - описание и поиск аналогов

 

AOV11S60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOV11S60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для AOV11S60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOV11S60 даташит

 ..1. Size:335K  aosemi
 aov11s60.pdf pdf_icon

AOV11S60

AOV11S60 TM 600V 8A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOV11S60 has been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 45A high levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.5 applications. Qg,typ 11nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss

Другие MOSFET... AOU1N60 , AOU2N60 , AOU2N60A , AOU3N50 , AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , IRFB7545 , AOV15S60 , AOV20S60 , AOW10N60 , AOW10N65 , AOW10T60P , AOW11N60 , AOW11S60 , AOW11S65 .

History: HCFL65R210 | 4N65L-TF1-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.