AOV15S60 Todos los transistores

 

AOV15S60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOV15S60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: DFN8X8

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AOV15S60 datasheet

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AOV15S60

AOV15S60 TM 600V 12A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOV15S60 has been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 63A high levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.36 applications. Qg,typ 16nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eos

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