AOV15S60 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOV15S60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOV15S60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для AOV15S60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOV15S60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  aosemi
 aov15s60.pdf pdf_icon

AOV15S60

AOV15S60TM600V 12A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOV15S60 has been fabricated using the advancedMOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 63Ahigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.36applications. Qg,typ 16nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eos

Другие MOSFET... AOU2N60 , AOU2N60A , AOU3N50 , AOU3N60 , AOU4N60 , AOU4S60 , AOU7S65 , AOV11S60 , EMB04N03H , AOV20S60 , AOW10N60 , AOW10N65 , AOW10T60P , AOW11N60 , AOW11S60 , AOW11S65 , AOW12N50 .

History: IPA60R800CE | SIHFPE40 | WMN22N50C4

 

 
Back to Top

 


 
.