HRF3205S Todos los transistores

 

HRF3205S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HRF3205S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 170 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB
 

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HRF3205S Datasheet (PDF)

 7.1. Size:189K  fairchild semi
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HRF3205S

HRF3205, HRF3205SData Sheet December 2001100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power FeaturesMOSFETs 100A, 55V (See Note)These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE ModelMOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

 7.2. Size:259K  inchange semiconductor
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HRF3205S

isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

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