HRF3205S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRF3205S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263AB

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HRF3205S datasheet

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HRF3205S

HRF3205, HRF3205S Data Sheet December 2001 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power Features MOSFETs 100A, 55V (See Note) These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008 power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE Model MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

 7.2. Size:259K  inchange semiconductor
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HRF3205S

isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

Otros transistores... HEPF2007A, HP4410DY, HP4936DY, HPLR3103, HPLU3103, HR3N187, HR3N200, HRF3205, 2N7000, HRFZ44N, HUF75229P3, HUF75307D3, HUF75307D3S, HUF75307D3ST, HUF75307P3, HUF75307T3ST, HUF75309D3