HRF3205S Todos los transistores

 

HRF3205S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HRF3205S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 175 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 170 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263AB

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HRF3205S Datasheet (PDF)

3.1. hrf3205.pdf Size:189K _fairchild_semi

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HRF3205, HRF3205S Data Sheet December 2001 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power Features MOSFETs • 100A, 55V (See Note) These are N-Channel enhancement mode silicon gate • Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008Ω power field effect transistors. They are advanced power • Temperature Compensating PSPICE® Model MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

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