HRF3205S - описание и поиск аналогов

 

HRF3205S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HRF3205S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO263AB

Аналог (замена) для HRF3205S

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HRF3205S даташит

 7.1. Size:189K  fairchild semi
 hrf3205.pdf pdf_icon

HRF3205S

HRF3205, HRF3205S Data Sheet December 2001 100A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel, Power Features MOSFETs 100A, 55V (See Note) These are N-Channel enhancement mode silicon gate Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.008 power field effect transistors. They are advanced power Temperature Compensating PSPICE Model MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified le

 7.2. Size:259K  inchange semiconductor
 hrf3205.pdf pdf_icon

HRF3205S

isc N-Channel MOSFET Transistor HRF3205 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARA

Другие MOSFET... HEPF2007A , HP4410DY , HP4936DY , HPLR3103 , HPLU3103 , HR3N187 , HR3N200 , HRF3205 , AON7408 , HRFZ44N , HUF75229P3 , HUF75307D3 , HUF75307D3S , HUF75307D3ST , HUF75307P3 , HUF75307T3ST , HUF75309D3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.