AOW14N50 Todos los transistores

 

AOW14N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOW14N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 191 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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AOW14N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  aosemi
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AOW14N50

AOW14N50/AOWF14N50500V, 14A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDSThe AOW14N50 & AOWF14N50 have been fabricated 600V@150using an advanced high voltage MOSFET process that is 14A ID (at VGS=10V)designed to deliver high levels of performance and

 ..2. Size:298K  inchange semiconductor
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AOW14N50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW14N50FEATURESDrain Current I = 14A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.38(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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