Справочник MOSFET. AOW14N50

 

AOW14N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOW14N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для AOW14N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW14N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  aosemi
 aow14n50.pdf pdf_icon

AOW14N50

AOW14N50/AOWF14N50500V, 14A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDSThe AOW14N50 & AOWF14N50 have been fabricated 600V@150using an advanced high voltage MOSFET process that is 14A ID (at VGS=10V)designed to deliver high levels of performance and

 ..2. Size:298K  inchange semiconductor
 aow14n50.pdf pdf_icon

AOW14N50

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW14N50FEATURESDrain Current I = 14A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.38(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... AOW10N65 , AOW10T60P , AOW11N60 , AOW11S60 , AOW11S65 , AOW12N50 , AOW12N60 , AOW12N65 , IRFZ44N , AOW15S60 , AOW15S65 , AOW20C60 , AOW20S60 , AOW2500 , AOW25S65 , AOW284 , AOW2918 .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.