AOW4S60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOW4S60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOW4S60

AOW4S60 Datasheet (PDF)

..1. Size:284K aosemi
aow4s60.pdf

AOW4S60/AOWF4S60TM600V 4A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOW4S60 & AOWF4S60 have been fabricatedusing the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 16Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.9robustness in switching applications. Qg,typ 6nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS

..2. Size:300K inchange semiconductor
aow4s60.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW4S60FEATURESDrain Current I =4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.9(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2N5952

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: