AOW4S60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOW4S60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: TO-262
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AOW4S60 datasheet
aow4s60.pdf
AOW4S60/AOWF4S60 TM 600V 4A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOW4S60 & AOWF4S60 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 16A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.9 robustness in switching applications. Qg,typ 6nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS
aow4s60.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOW4S60 FEATURES Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.9 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a
Otros transistores... AOW284 , AOW2918 , AOW298 , AOW29S50 , AOW410 , AOW418 , AOW480 , AOW482 , IRFP260N , AOW7S60 , AOW7S65 , AOWF10N60 , AOWF10N65 , AOWF10T60P , AOWF11C60 , AOWF11N60 , AOWF11N70 .
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