AOW4S60 - описание и поиск аналогов

 

AOW4S60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOW4S60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для AOW4S60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOW4S60 даташит

 ..1. Size:284K  aosemi
 aow4s60.pdf pdf_icon

AOW4S60

AOW4S60/AOWF4S60 TM 600V 4A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOW4S60 & AOWF4S60 have been fabricated using the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 16A designed to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.9 robustness in switching applications. Qg,typ 6nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 aow4s60.pdf pdf_icon

AOW4S60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW4S60 FEATURES Drain Current I =4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.9 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose a

Другие MOSFET... AOW284 , AOW2918 , AOW298 , AOW29S50 , AOW410 , AOW418 , AOW480 , AOW482 , IRFP260N , AOW7S60 , AOW7S65 , AOWF10N60 , AOWF10N65 , AOWF10T60P , AOWF11C60 , AOWF11N60 , AOWF11N70 .

History: HD30N06 | SUD09P10-195 | IRF730ALPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.