Справочник MOSFET. AOW4S60

 

AOW4S60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOW4S60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для AOW4S60

 

 

AOW4S60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  aosemi
 aow4s60.pdf

AOW4S60 AOW4S60

AOW4S60/AOWF4S60TM600V 4A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOW4S60 & AOWF4S60 have been fabricatedusing the advanced MOSTM high voltage process that is IDM 16Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.9robustness in switching applications. Qg,typ 6nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS

 ..2. Size:300K  inchange semiconductor
 aow4s60.pdf

AOW4S60 AOW4S60

isc N-Channel MOSFET Transistor AOW4S60FEATURESDrain Current I =4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.9(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top