AOWF8N50 Todos los transistores

 

AOWF8N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOWF8N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-262F

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AOWF8N50 datasheet

 ..1. Size:380K  aosemi
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AOWF8N50

AOWF8N50 500V, 8A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOWF8N50 has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 8A high levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOWF15S65 , AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , SPP20N60C3 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 .

History: SW4N65K | SWF10N65D | AP01L60J-HF | AP01N40H-HF | EMB12N04V | 4N60G-TN3-R | AP01L60H-HF

 

 

 

 

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