AOWF8N50 Todos los transistores

 

AOWF8N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOWF8N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262F
 

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AOWF8N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  aosemi
 aowf8n50.pdf pdf_icon

AOWF8N50

AOWF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOWF8N50 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 8Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: SWB062R08E8T | IXFX100N65X2 | NP88N03KDG | STD3NM50T4 | SH8M13 | 6435 | IXTK160N20

 

 
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