Справочник MOSFET. AOWF8N50

 

AOWF8N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOWF8N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-262F

 Аналог (замена) для AOWF8N50

 

 

AOWF8N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  aosemi
 aowf8n50.pdf

AOWF8N50 AOWF8N50

AOWF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOWF8N50 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 8Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top