AOWF8N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOWF8N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 23.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-262F
AOWF8N50 Datasheet (PDF)
aowf8n50.pdf

AOWF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOWF8N50 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 8Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SFF054C | AP8600S | ZVN0545ASTOA | AO4413 | RU7088A | FC8V2204 | CJAB25SN06
History: SFF054C | AP8600S | ZVN0545ASTOA | AO4413 | RU7088A | FC8V2204 | CJAB25SN06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305