Справочник MOSFET. AOWF8N50

 

AOWF8N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOWF8N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-262F
 

 Аналог (замена) для AOWF8N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF8N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  aosemi
 aowf8n50.pdf pdf_icon

AOWF8N50

AOWF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOWF8N50 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 8Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOWF15S65 , AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , AON7410 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 .

History: SH8M13 | IXFX100N65X2 | SWB062R08E8T | STD3NM50T4 | NP88N03KDG | 6435

 

 
Back to Top

 


 
.