AOWF8N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOWF8N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-262F
Аналог (замена) для AOWF8N50
AOWF8N50 Datasheet (PDF)
aowf8n50.pdf

AOWF8N50500V, 8A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS600V@150The AOWF8N50 has been fabricated using an advancedhigh voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 8Ahigh levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOWF15S65 , AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , AON7410 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 .
History: SH8M13 | IXFX100N65X2 | SWB062R08E8T | STD3NM50T4 | NP88N03KDG | 6435
History: SH8M13 | IXFX100N65X2 | SWB062R08E8T | STD3NM50T4 | NP88N03KDG | 6435



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305