AOWF8N50 - описание и поиск аналогов

 

AOWF8N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOWF8N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-262F

Аналог (замена) для AOWF8N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF8N50 даташит

 ..1. Size:380K  aosemi
 aowf8n50.pdf pdf_icon

AOWF8N50

AOWF8N50 500V, 8A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 600V@150 The AOWF8N50 has been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver ID (at VGS=10V) 8A high levels of performance and robustness in popular AC- RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOWF15S65 , AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , SPP20N60C3 , AOWF9N70 , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 .

History: SWD13N65K2 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | SWB640D | SWD070R08E7T | EMB12N04V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.