AOWF9N70 Todos los transistores

 

AOWF9N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOWF9N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262F
 

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AOWF9N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  aosemi
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AOWF9N70

AOWF9N70700V,9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOWF9N70 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 9Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , IRF9540N , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR .

History: CS13N60F | QM3009K | PMXB65UPE | GC11N65F | SSM3K131TU | 2SK1528L | HM17N10K

 

 
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