AOWF9N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOWF9N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262F
Búsqueda de reemplazo de AOWF9N70 MOSFET
AOWF9N70 Datasheet (PDF)
aowf9n70.pdf
AOWF9N70700V,9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOWF9N70 is fabricated using an advanced highvoltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 9Alevels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , SKD502T , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR .
History: AOY2N60
History: AOY2N60
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