AOWF9N70 Todos los transistores

 

AOWF9N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOWF9N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-262F

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AOWF9N70 datasheet

 ..1. Size:296K  aosemi
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AOWF9N70

AOWF9N70 700V,9A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 800V@150 The AOWF9N70 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 9A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOWF20S60 , AOWF25S65 , AOWF2606 , AOWF412 , AOWF4N60 , AOWF4S60 , AOWF7S65 , AOWF8N50 , SKD502T , AOY2N60 , AOY423 , AOY514 , AOY516 , AOY526 , AOY528 , 2SJ154 , 2SK1101-01MR .

History: AOWF11C60 | BSZ15DC02KDH | BSZ100N06NS | SFN423P | AUIRF7769L2TR | HCF65R550 | SFG100N08PF

 

 

 

 

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